Os óxidos condutores transparentes (TCOs), que combinam transparência ótica e condutividade eléctrica, são essenciais para as tecnologias fotovoltaicas de película fina. Este trabalho explora a síntese de filmes finos de ZnO não dopados e dopados (Li, V, Gd) por pirólise química por pulverização, com vista à sua integração em junções PN. A tomografia por sonda atómica (APT) revelou uma distribuição homogénea de Li. As análises Raman, FTIR, SEM, EDX e XPS confirmam a estrutura e a composição dos filmes. As películas dopadas com vanádio apresentam uma estrutura wurtzite, boa transparência (400-1200 nm), um bandgap de 3,18-3,26 eV e uma microdureza melhorada. A dopagem com gadolínio modifica a morfologia e mantém uma transmissão ótica de 60-80% com um bandgap de 3,24-3,26 eV. Finalmente, as heterojunções n-ZnO/p-Si produzidas apresentam desempenhos promissores, confirmando o interesse das camadas para aplicações fotovoltaicas e optoelectrónicas.