Avec l'évolution des technologies modernes de communication sans fil, les amplificateurs de puissance RF deviennent un sujet brûlant, car ils sont le composant clé des systèmes de communication mobile sans fil et la qualité de la communication dépend fortement de la performance des amplificateurs de puissance RF. Les systèmes modernes de communication sans fil tels que CDMA2000, WCDMA, OFDM, etc., sont destinés à maximiser le débit de données dans un environnement en mouvement rapide. Les signaux modulés de ces systèmes nécessitent à la fois une bonne linéarité et une bonne efficacité, alors que les signaux ont un rapport puissance de crête/puissance moyenne élevé. La linéarité et l'efficacité sont donc deux des caractéristiques les plus importantes des amplificateurs de puissance pour les applications sans fil. Récemment, un nombre croissant de composants RF sont intégrés à l'aide du processus CMOS afin de répondre aux exigences de faible coût et de petite taille des marchés de consommation sans fil. Cependant, l'amplificateur de puissance CMOS est difficile à concevoir en raison de la faible tension de claquage, du substrat Si conducteur et de l'absence de via de masse. Tous ces éléments rendent la conception d'un amplificateur de puissance entièrement intégré extrêmement difficile. Ce livre se concentre sur l'amélioration de l'efficacité et les techniques de linéarisation pour la conception d'amplificateurs de puissance CMOS.